(19)中华 人民共和国 国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202123342641.X (22)申请日 2021.12.28 (73)专利权人 云南中科鑫圆晶体材 料有限公司 地址 650000 云南省昆明市高新 技术开发 区新城高新 技术产业基地B- 5-5地块 专利权人 云南鑫耀半导体材 料有限公司 (72)发明人 杨春柳　刘汉保　赵磊　郭建新　 吕欣泽　 (74)专利代理 机构 昆明祥和知识产权代理有限 公司 53114 代理人 刘敏 (51)Int.Cl. B08B 11/00(2006.01) B08B 11/02(2006.01) B08B 3/02(2006.01)B08B 3/10(2006.01) B08B 13/00(2006.01) (54)实用新型名称 一种锗晶片清洗水槽 (57)摘要 本实用新型涉及一种锗晶片清洗水槽， 属于 单晶片加工技术领域， 包括外槽和内槽， 所述内 槽置于外槽内部， 所述内槽包括内槽本体和内槽 支架， 内槽本体嵌接于内槽支架上， 所述内槽本 体底部开设有出水孔， 顶部设置有喷淋管， 侧面 下部开数孔 分别连接注水管和气管， 所述内槽支 架内设置有升降台， 本实用新型通过在内槽本体 底部开设出水孔与升降台相配合， 实现内槽的快 速排水功能， 本装置将喷淋、 鼓泡、 注水排水功能 集于一体， 各功能既可单独使用也可多种功能相 互配合使用， 可更高效的清洗锗晶片表面残留的 药物， 可最大程度的节约用水。 权利要求书1页 说明书3页 附图4页 CN 216420554 U 2022.05.03 CN 216420554 U 1.一种锗 晶片清洗水槽， 其特征在于， 包括外槽和内槽， 所述内槽置于外槽内部， 所述 内槽包括内槽本体和内槽支架， 内槽本体嵌接于内槽支架上， 所述内槽本体底部开设有出 水孔， 顶部 设置有喷淋管， 侧面下部开数孔分别连接注水管和气管， 所述内槽支架内设置有 升降台。 2.根据权利要求1所述的一种锗晶片清洗水槽， 其特征在于， 所述升降台包括气动升降 盖板， 所述气动升降盖 板下固定连接有数个气动阀。 3.根据权利要求1所述的一种锗晶片清洗水槽， 其特征在于， 所述外槽为矩形， 一侧面 下部设置有排水孔。 4.根据权利要求1所述的一种锗晶片清洗水槽， 其特征在于， 所述内槽本体内侧面下部 设置有凸缘， 凸缘上加装有 多孔盖板。 5.根据权利要求1所述的一种锗晶片清洗水槽， 其特征在于， 所述内槽本体为矩形， 顶 部设置有阶梯状边框， 所述喷淋管为两根， 贯 穿边框并对称设置 于内槽本体两侧。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 216420554 U 2一种锗晶片清洗水槽 技术领域 [0001]本实用新型 涉及一种锗晶片抛光后清洗的水槽， 属于单晶片加工技 术领域。 背景技术 [0002]目前的晶片清洗主要是单片 逐一手工清洗或者单片机械清洗， 清洗过程较为复杂 繁琐， 需要 大量的人力物力， 且清洗效率低， 稳定性也较差。 因此， 找到一种能够提高清洗效 率以及稳定性的方法是非常迫切和重要的， 清洗线的出现为解决该问题带来了希望。 本实 用新型涉及到的一种锗晶片抛光后清洗水槽， 是清洗线的一个重要装置和环节， 对清洗后 晶片是否合格起到决定性的作用。 发明内容 [0003]本实用新型的主要目的是提供一种锗晶片抛光后 清洗水槽， 用于解决锗晶片清洗 工艺中的喷淋、 鼓泡、 快速注水排水等问题。 [0004]为实现以上目的， 本实用新型提供以下技 术方案： [0005]一种锗晶片清洗水槽， 包括外槽和内槽， 所述内槽置于外槽内部， 所述内槽包括内 槽本体和内槽支架， 内槽本体嵌接于内槽支架上， 所述内槽本体底部开设有出水孔， 顶部设 置有喷淋管， 侧面下部开数孔分别连接注水 管和气管， 所述内槽支 架内设置有升降台。 [0006]所述升降台包括气动升降盖 板， 所述气动升降盖 板下固定连接有数个气动阀。 [0007]优选的， 所述外 槽为矩形， 一侧面下部设置有排水孔。 [0008]优选的， 所述内槽 本体内侧面下部设置有凸缘， 凸缘上加装有 多孔盖板。 [0009]优选的， 所述内槽本体为矩形， 顶部设置有阶梯状边框， 所述喷淋管为两根， 贯穿 边框并对称设置 于内槽本体两侧。 [0010]本实用新型通过在内槽本体底部开设出水孔与升降台相配合， 实现内槽的快速排 水功能， 本装置将喷淋、 鼓泡、 注水排水功能集于一体， 各功能既可单独使用也可多种功能 相互配合使用， 可 更高效的清洗锗晶片表面残留的药物， 可最大程度的节约用水。 [0011]通过安装多孔盖板， 晶片放置在卡塞内再置于多孔盖板上， 防止鼓泡时气泡过大 使晶片大幅度晃动甚至晶片之间发生碰撞对晶片造成损伤以及注水管注水时水流过急对 晶片造成不必要的损伤， 同时保证注水时水均匀溢过晶片。 [0012]自下而上注水， 可实现清洗过程中水的不断更新， 从而达 到更好的清洗效果。 附图说明 [0013]图1本实用新型的整体结构示 意图； [0014]图2本实用新型的内槽 部分结构示 意图； [0015]图3本实用新型的内槽 本体底部结构示 意图； [0016]图4本实用新型的内槽支 架结构示 意图； [0017]图5本实用新型的升降台结构示 意图；说　明　书 1/3 页 3 CN 216420554 U 3