(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 20221073726 5.4 (22)申请日 2022.06.27 (71)申请人 杭州海康威视数字技 术股份有限公 司 地址 310051 浙江省杭州市滨江区阡 陌路 555号 (72)发明人 祁春超　孙思白　王颖聪　 (74)专利代理 机构 北京中博世 达专利商标代理 有限公司 1 1274 专利代理师 申健 (51)Int.Cl. H01L 27/146(2006.01) H04N 5/225(2006.01) (54)发明名称 像素单元及其制备方法、 图像传感器、 摄像 头和电子设备 (57)摘要 本公开提供了一种像素单元及其制备方法、 图像传感器、 摄像头和电子设备， 涉及图像传感 器的技术领域， 用于解决像素单元的制备工艺复 杂的技术问题。 像素单元的制备方法包括在衬底 的一侧形成第一掺杂层。 在第一掺杂层远离衬底 的一侧形成第二掺杂层， 第二掺杂层的掺杂类型 与第一掺杂层的掺杂类型不同。 在第二掺杂层内 形成光敏部。 将第一掺杂层作为停止层， 以去除 衬底。 本公开提供的像素单元的制备方法用于制 备像素单元。 权利要求书2页 说明书20页 附图9页 CN 115050767 A 2022.09.13 CN 115050767 A 1.一种像素 单元的制备 方法， 其特 征在于， 包括： 在衬底的一侧形成第一 掺杂层； 在所述第一掺杂层远离所述衬底的一侧形成第 二掺杂层， 所述第 二掺杂层的掺杂类型 与所述第一 掺杂层的掺杂类型不同； 在所述第二 掺杂层内形成光敏部； 将所述第一 掺杂层作为停止层， 以去除所述衬底。 2.根据权利要求1所述的像素单元的制备方法， 其特征在于， 所述衬底包括掺杂衬底； 所述第一 掺杂层的掺杂类型与所述衬底的掺杂类型不同。 3.根据权利要求1所述的像素 单元的制备 方法， 其特 征在于， 所述衬底为非掺杂衬底。 4.根据权利要求1～3中任一项所述的像素单元的制备方法， 其特征在于， 所述在衬底 的一侧形成第一 掺杂层的步骤， 包括： 采用外延生长 工艺， 在所述衬底的一侧形成所述第一 掺杂层； 所述在所述第一 掺杂层远离所述衬底的一侧形成第二 掺杂层的步骤， 包括： 采用外延生长 工艺， 在所述第一 掺杂层远离所述衬底的一侧形成所述第二 掺杂层。 5.根据权利要求1～3中任一项所述的像素单元的制备方法， 其特征在于， 所述光敏部 包括第一 掺杂部和第二 掺杂部， 所述在所述第二 掺杂层内形成光敏部的步骤， 包括： 在所述第二掺杂层内形成第 一掺杂部； 所述第 一掺杂部的掺杂类型与 所述第一掺杂层 的掺杂类型相同； 在所述第二掺杂层内形成第二掺杂部， 所述第二掺杂部与所述第一掺杂部间隔设置； 所述第二掺杂部的掺杂类型与所述第二掺杂 层的掺杂类型相同； 且所述第二掺杂部的离子 掺杂浓度与所述第二 掺杂层的离 子掺杂浓度不同。 6.根据权利要求5所述的像素单元的制备方法， 其特征在于， 所述在所述第 二掺杂层内 形成光敏部的步骤之后， 还 包括： 在所述第二 掺杂层远离所述第一 掺杂层的一侧形成金属互联层； 将承载片与所述金属互联层远离所述第二 掺杂层一侧的表面键合， 以形成键合体； 所述将所述第一 掺杂层作为停止层， 去除所述衬底的步骤之前， 还 包括： 翻转所述键合体。 7.根据权利要求6所述的像素单元的制备方法， 其特征在于， 所述将承载片与 所述金属 互联层远离所述第二 掺杂层一侧的表面键合的步骤之前， 还 包括： 形成第一金属电极， 所述第 一金属电极沿所述金属互联层至所述第 二掺杂层的方向贯 穿所述金属互联层， 且与所述第一 掺杂部电连接； 形成第二金属电极， 所述第 二金属电极沿所述金属互联层至所述第 二掺杂层的方向贯 穿所述金属互联层， 且与所述第二 掺杂部电连接 。 8.根据权利要求6所述的像素单元的制备方法， 其特征在于， 所述将所述第 一掺杂层作 为停止层， 去除所述衬底的步骤之后， 还 包括： 在所述第一 掺杂层远离所述第二 掺杂层的一侧形成光调节组件； 将所述承载片与所述金属互联层远离所述第二 掺杂层一侧的表面 解键合。 9.一种像素单元， 其特征在于， 所述像素单元采用 如权利要求1～8中任一项所述的像 素单元的制备 方法制备， 所述像素 单元包括：权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115050767 A 2第一掺杂层； 第二掺杂层， 位于所述第一掺杂层的一侧； 所述第二掺杂层的掺杂类型与所述第一掺 杂层的掺杂类型不同； 光敏部， 位于所述第二 掺杂层内。 10.根据权利要求9所述的像素单元， 其特征在于， 所述第一掺杂层的厚度的取值范围 为0.1 μm～5 μm， 所述第一 掺杂层的离 子掺杂浓度的取值范围为1e13/cm3～1e17/cm3。 11.根据权利要求9所述的像素单元， 其特征在于， 所述第二掺杂层的厚度的取值范围 为1 μm～2.5 μm， 所述第二 掺杂层的离 子掺杂浓度的取值范围为1e14/cm3～1e17/cm3。 12.根据权利要求9～11中任一项所述的像素单元， 其特征在于， 所述第 一掺杂层为N型 掺杂层， 所述第二 掺杂层为P型掺杂层。 13.根据权利要求9～11中任一项所述的像素单元， 其特征在于， 所述像素单元还包括 光调节组件， 所述 光调节组件 包括： 抗反射膜， 位于所述第一 掺杂层远离所述第二 掺杂层的一侧， 且覆盖所述第一 掺杂层； 滤光片， 位于所述 抗反射膜远离所述第一 掺杂层的一侧； 微透镜， 位于所述滤光片远离所述 抗反射膜的一侧。 14.一种图像传感器， 其特征在于， 包括至少两个如权利要求9～13中任一项所述的像 素单元， 至少两个所述像素 单元阵列排布。 15.根据权利要求14所述的图像传感器， 其特 征在于， 所述图像传感器还 包括： 隔离部， 位于任意相邻的两个所述像素 单元之间。 16.一种摄 像头组件， 其特 征在于， 包括： 透镜组件； 如权利要求14或15所述的图像传感器， 所述图像传感器位于所述透 镜组件的出光侧。 17.一种电子设备， 其特 征在于， 包括： 壳体， 所述壳体开设有第一 通孔； 如权利要求16所述的摄 像头组件， 嵌入于所述第一 通孔内。 18.根据权利要求17所述的 电子设备， 其特征在于， 所述壳体还开设有第二通孔， 所述 电子设备还 包括： 发射器， 用于向待检测物体发射 光线； 所述摄像头组件用于 接收所述待检测物体反射的光线； 或， 所述摄像头组件用于 接收穿过待检测物体的光线。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115050767 A 3