(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210847121.4 (22)申请日 2022.07.19 (71)申请人 安徽宇航派蒙健康科技股份有限公 司 地址 230031 安徽省合肥市蜀山区湖光 东 路1201号国家电子商务产业园16号派 蒙大厦 (72)发明人 周明　潘卓成　潘智军　 (74)专利代理 机构 华进联合专利商标代理有限 公司 44224 专利代理师 林青中 (51)Int.Cl. C08L 63/00(2006.01) C08K 3/04(2006.01) C08K 9/00(2006.01)C09K 5/14(2006.01) H05K 7/20(2006.01) (54)发明名称 环氧树脂复合材料及其制备方法、 导热片及 电子器件 (57)摘要 本发明涉及电子封装技术领域， 具体而言， 涉及一种环氧树脂复合材料及其制备方法、 导热 片及电子器件。 环氧树脂复合材料包括环氧树脂 基体以及位于环氧树脂基体内的多个氟化石墨 烯膜， 多个 氟化石墨烯膜沿环氧树脂基体的厚度 z方向有序取向排列， 沿环氧树脂基体的长度x 方 向， 相邻氟化石墨烯膜之间等间距0.03mm～ 0.1mm分布， 且环氧树脂基体的长度x≥1cm， 沿环 氧树脂基体的宽度y方向， 相邻氟化石墨烯膜之 间等间距0.3mm～ 0.8mm分布。 上述环氧树脂复合 材料的热导 率较高。 权利要求书1页 说明书8页 附图1页 CN 115160733 A 2022.10.11 CN 115160733 A 1.一种环氧树脂复合材料， 其特征在于， 包括环氧树脂基体以及位于所述环氧树脂基 体内的多个氟化石墨烯膜， 多个所述氟化石墨烯膜沿所述环氧树脂基体的厚度z方向有序 取向排列， 沿所述环氧树脂基体的长度x方向， 相 邻所述氟化石墨烯膜之间等间距0.03 mm～ 0.1mm分布， 且 所述环氧树脂基体的长度x≥1c m， 沿所述环氧树脂基体的宽度y方向， 相邻所 述氟化石墨烯 膜之间等间距0.3m m～0.8mm分布。 2.根据权利要求1所述的环氧树脂复合材料， 其特征在于， 所述环氧树脂基体的长度 1cm≤x≤15 cm。 3.根据权利要求1所述的环氧树脂复合材料， 其特征在于， 其满足以下特征中的至少一 种： (1)所述环氧树脂基 体的宽度1cm≤y≤15 cm； (2)所述环氧树脂基 体的厚度2m m≤z≤6mm。 4.根据权利要求3所述的环氧树脂复合材料， 其特征在于， 所述氟化石墨烯膜的高度与 所述环氧树脂基体的厚度z相同， 所述氟化石墨烯膜的厚度为 10 μm～25 μm， 所述氟化石墨烯 膜的宽度为0.5m m～1.5mm。 5.根据权利要求3所述的环氧树脂复合材料， 其特征在于， 所述环氧树脂复合材料厚度 方向的热导 率为8W/mK～15W/mK。 6.根据权利要求1～5任一项所述的环氧树脂复合材料， 其特征在于， 所述氟化石墨烯 膜的氟含量 为45wt％～6 5wt％。 7.一种如权利要求1～6任一项所述的环氧树脂复合材料的制备方法， 其特征在于， 包 括以下步骤： S100： 在氟化石墨烯膜上形成多个等间距分布的镂空结构， 所述镂空结构的宽度为 0.3mm～0.8mm， 制备镂空氟化石墨烯 膜； S200： 在所述镂空氟化石墨烯膜的表面形成环氧树脂层， 所述环氧树脂层的厚度为 0.03mm～0.1mm； S300： 再在所述环氧树脂层上放置步骤S100中制得的镂空氟化石墨烯膜， 并重复步骤 S200； S400： 重复步骤S100～S300， 得到氟化石墨烯膜和环氧树脂层交替层叠设置的层叠体， 所述层叠体的厚度≥1cm； 及 S500： 切割所述层叠体并翻转90 °。 8.根据权利要求7所述的环氧树脂复合材料的制备方法， 其特征在于， 相邻所述镂 空结 构之间等间距0.5m m～1.5mm分布； 和/或 步骤S500中所述切割是等间距 2mm～6mm切割。 9.一种导热片， 其特 征在于， 由权利要求1～6任一项所述的环氧树脂复合材 料制得。 10.一种电子器件， 其特征在于， 包括权利要求9所述的导热片和芯片， 所述导热片用于 封装所述芯片。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115160733 A 2环氧树脂复合材料及其制备方 法、 导热片及电子器件 技术领域 [0001]本发明涉及电子封装技术领域， 具体而言， 涉及一种环氧树脂复合材料及其制 备 方法、 导热片及电子器件。 背景技术 [0002]在电子工业中， 集成电路(IC)的封装、 设计和制造构成IC产业的三大支柱。 IC封装 就是将封装材料和半导体芯片结合在一起， 形成一个以半导体为基础的电子功能块器件。 常用的封装材料主要有 金属基封装材料、 陶瓷封装 材料和塑料封装材料。 其中， 陶瓷封装材 料和金属基封装材料为气密性封装， 具有可靠性能高的特点， 但由于价格昂贵而主要用于 航天、 航空及军事领域； 塑料封装则以其具有低 成本和高密度的优势而广泛应用于民用领 域。 至今， 90％的半导体器件都采用塑料封装， 其中环氧树脂封装材料具有收缩率低、 粘结 性好、 耐腐蚀性好、 电性能优异及较低的成本等突出的优点而成为常用的塑料封装材料， 占 塑料封装材料的90％以上。 但是由于环氧树脂封装材料 的热导率低， 难以满足半导体芯片 的散热需求。 发明内容 [0003]基于此， 有必要提供一种能够提升热导率的环氧树脂复合材料及其制 备方法、 导 热片及电子器件。 [0004]本发明一方面， 提供一种环氧树脂复合材料， 其包括环氧树脂基体以及位于所述 环氧树脂基体内的多个氟化石墨烯膜， 多个所述氟化石墨烯膜沿所述环 氧树脂基体的厚度 z方向有序取向排列， 沿所述环氧树脂基体的长度x方向， 相邻所述氟化石墨烯膜之间等间 距0.03mm～0.1mm分布， 且所述环氧树脂基体的长度x≥1cm， 沿所述环氧树脂基体的宽度y 方向， 相邻所述氟化石墨烯 膜之间等间距0.3m m～0.8mm分布。 [0005]在其中一个实施例中， 所述环氧树脂基 体的长度1cm≤x≤15 cm。 [0006]在其中一个实施例中， 其满足以下 特征中的至少一种： [0007](1)所述环氧树脂基 体的宽度1cm≤y≤15 cm； [0008](2)所述环氧树脂基 体的厚度2m m≤z≤6mm。 [0009]在其中一个实施例中， 所述氟化石墨烯膜的高度与所述环氧树脂基体 的厚度z相 同， 所述氟化石墨烯 膜的厚度为10 μm～ 25 μm， 所述氟化石墨烯 膜的宽度为0.5m m～1.5mm。 [0010]在其中一个实施例中， 所述环氧树脂复合材料厚度方向的热导率为8W/mK～15W/ mK。 [0011]在其中一个实施例中， 所述氟化石墨烯 膜的氟含量 为45wt％～6 5wt％。 [0012]本发明一方面， 还提供一种如上述所述的环氧树脂复合材料的制 备方法， 其包括 以下步骤： [0013]S100： 在氟化石墨烯膜上形成多个等间距分布的镂空结构， 所述镂空结构的宽度 为0.3mm～0.8mm， 制备镂空氟化石墨烯 膜；说　明　书 1/8 页 3 CN 115160733 A 3